รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอด SIC 1.2KV 109A TO247-3
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
200 µA @ 1200 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.8 โวลต์ @ 50 ก |
แพ็คเกจ: |
ท่อ |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
246pF @ 400V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-247-3 |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-247-3 |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
1200 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
109A |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
เอ็มเอสซี050 |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
200 µA @ 1200 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.8 โวลต์ @ 50 ก |
แพ็คเกจ: |
ท่อ |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
246pF @ 400V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-247-3 |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-247-3 |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
1200 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
109A |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
เอ็มเอสซี050 |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
