ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	1 นาโน @ 125 โวลต์	ประเภทการติดตั้ง:	ผ่านหลุม
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์	แพ็คเกจ:	เทปตัด (CT) เทปและกล่อง (TB)
ซีรีย์:	-	ความจุ @ Vr, F:	4pF @ 0V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	DO-34	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	1.5 ไมโครวินาที
Mfr:	เน็กซ์พีเรีย ยูเอสเอ อิงค์	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	175°C (สูงสุด)	กล่อง / กระเป๋า:	DO-204AG, DO-34, แนวแกน
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	125 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	250mA
ความเร็ว:	การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	BAS45

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	1 นาโน @ 125 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	ผ่านหลุม
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์
แพ็คเกจ:	เทปตัด (CT) เทปและกล่อง (TB)
ซีรีย์:	-
ความจุ @ Vr, F:	4pF @ 0V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	DO-34
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	1.5 ไมโครวินาที
Mfr:	เน็กซ์พีเรีย ยูเอสเอ อิงค์
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	175°C (สูงสุด)
กล่อง / กระเป๋า:	DO-204AG, DO-34, แนวแกน
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	125 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	250mA
ความเร็ว:	การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	BAS45