ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	2.5 µA @ 70 V	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1 โวลต์ @ 10 มิลลิแอมป์	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	-	ความจุ @ Vr, F:	-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	สท-23-3	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	4 น
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	150°C (สูงสุด)	กล่อง / กระเป๋า:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	75 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	150mA
ความเร็ว:	สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ	เลขสินค้าพื้นฐาน:	IMBD4448

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	2.5 µA @ 70 V
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1 โวลต์ @ 10 มิลลิแอมป์
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	-
ความจุ @ Vr, F:	-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	สท-23-3
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	4 น
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	150°C (สูงสุด)
กล่อง / กระเป๋า:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	75 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	150mA
ความเร็ว:	สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ
เลขสินค้าพื้นฐาน:	IMBD4448