รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอด Gen Purp 200V 1A DFLAT
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
5 μA @ 200 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
980 mV @ 1 a |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
20pF @ 4V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
d-flat |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
35 nS |
Mfr: |
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์ |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 150°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
2-SMD, ตะกั่วแบน |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
200 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
1A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
เอสเอฟ1 |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
5 μA @ 200 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
980 mV @ 1 a |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
20pF @ 4V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
d-flat |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
35 nS |
Mfr: |
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์ |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 150°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
2-SMD, ตะกั่วแบน |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
200 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
1A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
เอสเอฟ1 |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
