ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	10 μA @ 200 V	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	900 มิลลิโวลต์ @ 3 ก	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	ยานยนต์, AEC-Q101	ความจุ @ Vr, F:	45pF @ 4V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	DO-214AB (บตท.)	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	30 น
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C	กล่อง / กระเป๋า:	DO-214AB บตท
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	200 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	3A
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	อีเอส3ดี

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	10 μA @ 200 V
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	900 มิลลิโวลต์ @ 3 ก
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	ยานยนต์, AEC-Q101
ความจุ @ Vr, F:	45pF @ 4V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	DO-214AB (บตท.)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	30 น
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C
กล่อง / กระเป๋า:	DO-214AB บตท
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	200 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	3A
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	อีเอส3ดี