ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	500 nA @ 75 โวลต์	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.2 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	-	ความจุ @ Vr, F:	4pF @ 0V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ยูบี	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	20 น
Mfr:	เทคโนโลยีไมโครชิป	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-65°ซ ~ 200°ซ	กล่อง / กระเป๋า:	3-SMD ไม่มีสารตะกั่ว
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	75 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	200mA
ความเร็ว:	สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ	เลขสินค้าพื้นฐาน:	1N4148

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	500 nA @ 75 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.2 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	-
ความจุ @ Vr, F:	4pF @ 0V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ยูบี
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	20 น
Mfr:	เทคโนโลยีไมโครชิป
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-65°ซ ~ 200°ซ
กล่อง / กระเป๋า:	3-SMD ไม่มีสารตะกั่ว
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	75 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	200mA
ความเร็ว:	สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ
เลขสินค้าพื้นฐาน:	1N4148