ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	100 nA @ 150 โวลต์	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.25 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	-	ความจุ @ Vr, F:	5pF @ 0V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	สท-23-3	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	50 น
Mfr:	เทคโนโลยีคอมชิป	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	150°C (สูงสุด)	กล่อง / กระเป๋า:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	100 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	200mA
ความเร็ว:	สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ	เลขสินค้าพื้นฐาน:	CDST-19

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	100 nA @ 150 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.25 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	-
ความจุ @ Vr, F:	5pF @ 0V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	สท-23-3
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	50 น
Mfr:	เทคโนโลยีคอมชิป
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	150°C (สูงสุด)
กล่อง / กระเป๋า:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	100 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	200mA
ความเร็ว:	สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ
เลขสินค้าพื้นฐาน:	CDST-19