รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอดซิลคาร์โบไฮเดรต 1.7kV 122a to247
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
40 µa @ 1700 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.8 V @ 60 A |
แพ็คเกจ: |
ท่อ |
ซีรีย์: |
Sic Schottky MPS ™ |
ความจุ @ Vr, F: |
4577pf @ 1V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-247-2 |
Mfr: |
สารกึ่งตัวนำ GeneSiC |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-247-2 |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
1700 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
122a |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
gd60 |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
40 µa @ 1700 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.8 V @ 60 A |
แพ็คเกจ: |
ท่อ |
ซีรีย์: |
Sic Schottky MPS ™ |
ความจุ @ Vr, F: |
4577pf @ 1V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-247-2 |
Mfr: |
สารกึ่งตัวนำ GeneSiC |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-247-2 |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
1700 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
122a |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
gd60 |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
