รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอดซิลคาร์ไบด์ 100V 4A TO46
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
5 µA @ 100 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.6 V @ 1 A |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
76pf @ 1V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-46 |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
สารกึ่งตัวนำ GeneSiC |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 210°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-206AB, TO-46-3 กระป๋องโลหะ |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
100 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
4A |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
GB02SHT01 |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
5 µA @ 100 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.6 V @ 1 A |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
76pf @ 1V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-46 |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
สารกึ่งตัวนำ GeneSiC |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 210°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-206AB, TO-46-3 กระป๋องโลหะ |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
100 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
4A |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
GB02SHT01 |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
