รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอดซิลคาร์โบไฮเดรต 1.2kV 8a ถึง 252-2
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
5 µA @ 1200 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.8 V @ 2 A |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR)
เทปตัด (CT)
Digi-Reel® |
ซีรีย์: |
Sic Schottky MPS ™ |
ความจุ @ Vr, F: |
73pf @ 1V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-252-2 |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
สารกึ่งตัวนำ GeneSiC |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-252-3, DPak (2 ลีด + แท็บ), SC-63 |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
1200 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
8A |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
5 µA @ 1200 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.8 V @ 2 A |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR)
เทปตัด (CT)
Digi-Reel® |
ซีรีย์: |
Sic Schottky MPS ™ |
ความจุ @ Vr, F: |
73pf @ 1V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-252-2 |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
สารกึ่งตัวนำ GeneSiC |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-252-3, DPak (2 ลีด + แท็บ), SC-63 |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
1200 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
8A |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
