รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: Diode Schottky 30V 12a to277a
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
800 µa @ 40 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
600 mV @ 12 a |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรีย์: |
eSMP® |
ความจุ @ Vr, F: |
750pf @ 4V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-277A (เอสเอ็มพีซี) |
Mfr: |
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น |
เทคโนโลย: |
ชอตกี้ |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 150°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-277, 3-PowerDFN |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
30 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
12A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
SS12P4 |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
800 µa @ 40 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
600 mV @ 12 a |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรีย์: |
eSMP® |
ความจุ @ Vr, F: |
750pf @ 4V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-277A (เอสเอ็มพีซี) |
Mfr: |
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น |
เทคโนโลย: |
ชอตกี้ |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 150°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-277, 3-PowerDFN |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
30 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
12A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
SS12P4 |
วิดีโอ
