รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอเดส ช็อตตกี้ 40 วอลต์ 200MA DIE
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
10µA @ 40V |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
500 มิลลิโวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์ |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
50pF @ 0V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
ตาย |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
ชอตกี้ |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°C ~ 125°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
ตาย |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
40 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
200mA |
ความเร็ว: |
สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
10µA @ 40V |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
500 มิลลิโวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์ |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
50pF @ 0V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
ตาย |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
ชอตกี้ |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°C ~ 125°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
ตาย |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
40 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
200mA |
ความเร็ว: |
สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
