ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	ซื้อครั้งสุดท้าย
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	80 µa @ 600 V	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	2.1 V @ 9 A	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	CoolSiC™+	ความจุ @ Vr, F:	280pf @ 1V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	PG-TO252-3	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	0 น
Mfr:	อินฟินไอน เทคโนโลยี	เทคโนโลย:	SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 175°C	กล่อง / กระเป๋า:	TO-252-3, DPak (2 ลีด + แท็บ), SC-63
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	600 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	9A
ความเร็ว:	ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	IDD09SG60

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	ซื้อครั้งสุดท้าย
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	80 µa @ 600 V
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	2.1 V @ 9 A
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	CoolSiC™+
ความจุ @ Vr, F:	280pf @ 1V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	PG-TO252-3
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	0 น
Mfr:	อินฟินไอน เทคโนโลยี
เทคโนโลย:	SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 175°C
กล่อง / กระเป๋า:	TO-252-3, DPak (2 ลีด + แท็บ), SC-63
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	600 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	9A
ความเร็ว:	ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	IDD09SG60