ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	200 µA @ 1200 V	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.8 V @ 20 A	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรีย์:	-	ความจุ @ Vr, F:	721pf @ 0v, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ดีทูพีเอเค	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	0 น
Mfr:	โซลูชั่นไดโอเดส SMC	เทคโนโลย:	SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 175°C	กล่อง / กระเป๋า:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	1200 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	20A
ความเร็ว:	ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	S4D2012

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	200 µA @ 1200 V
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.8 V @ 20 A
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรีย์:	-
ความจุ @ Vr, F:	721pf @ 0v, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ดีทูพีเอเค
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	0 น
Mfr:	โซลูชั่นไดโอเดส SMC
เทคโนโลย:	SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 175°C
กล่อง / กระเป๋า:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	1200 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	20A
ความเร็ว:	ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	S4D2012