รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Category: |
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
500 nA @ 200 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.6 โวลต์ @ 3 ก |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
Series: |
Military, MIL-PRF-19500/429 |
ความจุ @ Vr, F: |
- |
Supplier Device Package: |
A, Axial |
Reverse Recovery Time (trr): |
150 ns |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
A, แอกเซียล |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): |
200 V |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
1A |
Speed: |
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
1N5615 |
Category: |
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
500 nA @ 200 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.6 โวลต์ @ 3 ก |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
Series: |
Military, MIL-PRF-19500/429 |
ความจุ @ Vr, F: |
- |
Supplier Device Package: |
A, Axial |
Reverse Recovery Time (trr): |
150 ns |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
A, แอกเซียล |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): |
200 V |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
1A |
Speed: |
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
1N5615 |