รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอด์ GEN PURP 600V 1A AXIAL
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว | สถานะสินค้า: | กิจกรรม | กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500µA @ 400V | ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม | แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.6 โวลต์ @ 3 ก | แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ | ซีรีย์: | ทหาร MIL-PRF-19500/429 | ความจุ @ Vr, F: | 25pF @ 12V, 1MHz | แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: | A, แอกเซียล | Mfr: | เทคโนโลยีไมโครชิป | เทคโนโลย: | มาตรฐาน | อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: | -65°ซ ~ 200°ซ | กล่อง / กระเป๋า: | A, แอกเซียล | แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): | 600 โวลต์ | ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): | 1A | ความเร็ว: | การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) | 
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว | 
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม | 
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500µA @ 400V | 
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม | 
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.6 โวลต์ @ 3 ก | 
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ | 
| ซีรีย์: | ทหาร MIL-PRF-19500/429 | 
| ความจุ @ Vr, F: | 25pF @ 12V, 1MHz | 
| แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: | A, แอกเซียล | 
| Mfr: | เทคโนโลยีไมโครชิป | 
| เทคโนโลย: | มาตรฐาน | 
| อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: | -65°ซ ~ 200°ซ | 
| กล่อง / กระเป๋า: | A, แอกเซียล | 
| แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): | 600 โวลต์ | 
| ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): | 1A | 
| ความเร็ว: | การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |