รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอ้ด GEN PURP 225V 500MA DO35
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
50 nA @ 225 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1 โวลต์ @ 400 มิลลิแอมป์ |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
กองทัพ MIL-PRF- 19500/587 |
ความจุ @ Vr, F: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
ดีโอ-35 (ดีโอ-204AH) |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
DO-204AH, DO-35, แกน |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
225 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
500mA |
ความเร็ว: |
การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
1N6661 |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
50 nA @ 225 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1 โวลต์ @ 400 มิลลิแอมป์ |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
กองทัพ MIL-PRF- 19500/587 |
ความจุ @ Vr, F: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
ดีโอ-35 (ดีโอ-204AH) |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
DO-204AH, DO-35, แกน |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
225 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
500mA |
ความเร็ว: |
การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
1N6661 |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
