รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอเด GP 660V 1.2A A SQ-MELF
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
500 nA @ 660 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.4 โวลต์ @ 1.2 ก |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
เอ, SQ-MELF |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
45 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°C ~ 150°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
SQ-MELF, เอ |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
660 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
1.2ก |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
500 nA @ 660 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.4 โวลต์ @ 1.2 ก |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
เอ, SQ-MELF |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
45 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°C ~ 150°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
SQ-MELF, เอ |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
660 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
1.2ก |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
