logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
thai
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
อ้างอิง

JAN1N5553US

รายละเอียดสินค้า

เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง

คําอธิบาย: ไดโอด์ GEN PURP 800V 3A D-5B

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
เน้น:
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:
1 μA @ 800 V
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:
1.3 โวลต์ @ 9 ก
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรีย์:
ทหาร MIL-PRF-19500/420
ความจุ @ Vr, F:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
D-5B
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):
2 µs
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
เทคโนโลย:
มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:
-65°C ~ 175°C
กล่อง / กระเป๋า:
SQ-MELF, อี
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):
800 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):
3A
ความเร็ว:
การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:
1N5553
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:
1 μA @ 800 V
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:
1.3 โวลต์ @ 9 ก
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรีย์:
ทหาร MIL-PRF-19500/420
ความจุ @ Vr, F:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
D-5B
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):
2 µs
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
เทคโนโลย:
มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:
-65°C ~ 175°C
กล่อง / กระเป๋า:
SQ-MELF, อี
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):
800 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):
3A
ความเร็ว:
การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:
1N5553
JAN1N5553US
ไดโอเดส 800 V 3A ด้านผิว D-5B
ผลิตภัณฑ์คล้ายกัน
TSV6291AICT IC เครื่องกระตุ้นการทํางาน วิดีโอ
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
TSV6290AICT IC เครื่องกระตุ้นการทํางาน วิดีโอ
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
TSV620ICT เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการ วิดีโอ
LMC6482IMMX เครื่องเสริมเสียงปฏิบัติการ วิดีโอ
TSV522IST เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการ วิดีโอ