รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: วงจรเรียงกระแส SCHOTTKY
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว | สถานะสินค้า: | กิจกรรม | กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 200 nA @ 50 โวลต์ | ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว | แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 650 มิลลิโวลต์ @ 15 มิลลิแอมป์ | แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ | ซีรีย์: | - | ความจุ @ Vr, F: | 4.5pF @ 0V, 1MHz | แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: | DO-213AA | Mfr: | เทคโนโลยีไมโครชิป | เทคโนโลย: | ชอตกี้ | อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: | -65°C ~ 150°C | กล่อง / กระเป๋า: | DO-213AA | แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): | 50 โวลต์ | ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): | 75mA | ความเร็ว: | สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ | เลขสินค้าพื้นฐาน: | 1N6858 | 
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว | 
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม | 
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 200 nA @ 50 โวลต์ | 
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว | 
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 650 มิลลิโวลต์ @ 15 มิลลิแอมป์ | 
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ | 
| ซีรีย์: | - | 
| ความจุ @ Vr, F: | 4.5pF @ 0V, 1MHz | 
| แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: | DO-213AA | 
| Mfr: | เทคโนโลยีไมโครชิป | 
| เทคโนโลย: | ชอตกี้ | 
| อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: | -65°C ~ 150°C | 
| กล่อง / กระเป๋า: | DO-213AA | 
| แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): | 50 โวลต์ | 
| ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): | 75mA | 
| ความเร็ว: | สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ | 
| เลขสินค้าพื้นฐาน: | 1N6858 |