ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	2 นาโน @ 125 โวลต์	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	920 มิลลิโวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์	แพ็คเกจ:	ขนาดใหญ่
ซีรีย์:	กองทัพ MIL-PRF-19500/241	ความจุ @ Vr, F:	-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	DO-213AA	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	3 µs
Mfr:	เทคโนโลยีไมโครชิป	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-65°C ~ 175°C	กล่อง / กระเป๋า:	DO-213AA (แก้ว)
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	125 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	150mA
ความเร็ว:	สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ	เลขสินค้าพื้นฐาน:	1N3595

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	2 นาโน @ 125 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	920 มิลลิโวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์
แพ็คเกจ:	ขนาดใหญ่
ซีรีย์:	กองทัพ MIL-PRF-19500/241
ความจุ @ Vr, F:	-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	DO-213AA
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	3 µs
Mfr:	เทคโนโลยีไมโครชิป
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-65°C ~ 175°C
กล่อง / กระเป๋า:	DO-213AA (แก้ว)
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	125 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	150mA
ความเร็ว:	สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ
เลขสินค้าพื้นฐาน:	1N3595