รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: DIODE GEN PURP 150V 3A A-PAK
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
1 µA @ 150 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
2.04 V @ 9.4 A |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
กองทัพ MIL-PRF-19500/503 |
ความจุ @ Vr, F: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
A, แอกเซียล |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
30 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°ซ ~ 155°ซ |
กล่อง / กระเป๋า: |
A, แอกเซียล |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
150 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
3A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
1N6075 |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
1 µA @ 150 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
2.04 V @ 9.4 A |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
กองทัพ MIL-PRF-19500/503 |
ความจุ @ Vr, F: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
A, แอกเซียล |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
30 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°ซ ~ 155°ซ |
กล่อง / กระเป๋า: |
A, แอกเซียล |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
150 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
3A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
1N6075 |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
