รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
Description: DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
Product Status: |
Active |
Current - Reverse Leakage @ Vr: |
500 nA @ 660 V |
Mounting Type: |
Surface Mount |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: |
1.4 V @ 1.2 A |
Package: |
Bulk |
Series: |
Military, MIL-PRF-19500/585 |
ความจุ @ Vr, F: |
10pF @ 10V, 1MHz |
Supplier Device Package: |
D-5A |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
30 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
Technology: |
Standard |
Operating Temperature - Junction: |
-65°C ~ 150°C |
Package / Case: |
SQ-MELF, A |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
660 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
2A |
Speed: |
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Base Product Number: |
1N6622 |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
Product Status: |
Active |
Current - Reverse Leakage @ Vr: |
500 nA @ 660 V |
Mounting Type: |
Surface Mount |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: |
1.4 V @ 1.2 A |
Package: |
Bulk |
Series: |
Military, MIL-PRF-19500/585 |
ความจุ @ Vr, F: |
10pF @ 10V, 1MHz |
Supplier Device Package: |
D-5A |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
30 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
Technology: |
Standard |
Operating Temperature - Junction: |
-65°C ~ 150°C |
Package / Case: |
SQ-MELF, A |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
660 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
2A |
Speed: |
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Base Product Number: |
1N6622 |