รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: DIODE GEN PURP 2A E ตามแนวแกน
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
4 μA @ 1000 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.95 V @ 2 A |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรีย์: |
ทหาร MIL-PRF-19500/590 |
ความจุ @ Vr, F: |
40pF @ 10V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
E, แนวแกน |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
60 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
E, แนวแกน |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
2A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
4 μA @ 1000 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.95 V @ 2 A |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรีย์: |
ทหาร MIL-PRF-19500/590 |
ความจุ @ Vr, F: |
40pF @ 10V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
E, แนวแกน |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
60 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
E, แนวแกน |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
2A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
