รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอเดส GEN PURP 50V 2A AXIAL
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
975 มิลลิโวลต์ @ 2 ก |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
A, แอกเซียล |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
25 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
กล่อง / กระเป๋า: |
A, แอกเซียล |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
50 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
2A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
975 มิลลิโวลต์ @ 2 ก |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
A, แอกเซียล |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
25 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
กล่อง / กระเป๋า: |
A, แอกเซียล |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
50 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
2A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
