รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอเดส SCHOTTKY 50V 33MA UB
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
200 nA @ 50 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1 โวลต์ @ 15 มิลลิแอมป์ |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
กองทัพ MIL-PRF-19500/444 |
ความจุ @ Vr, F: |
2pF @ 0V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
ยูบี |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
ชอตกี้ |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°C ~ 150°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
3-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
50 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
33mA |
ความเร็ว: |
สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
1N5711 |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
200 nA @ 50 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1 โวลต์ @ 15 มิลลิแอมป์ |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
กองทัพ MIL-PRF-19500/444 |
ความจุ @ Vr, F: |
2pF @ 0V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
ยูบี |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
ชอตกี้ |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°C ~ 150°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
3-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
50 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
33mA |
ความเร็ว: |
สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
1N5711 |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
