ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	300mA	อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-65°C ~ 175°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.2 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์	แพ็คเกจ:	ขนาดใหญ่
ซีรีย์:	ทหาร MIL-PRF-19500/578	การกำหนดค่าไดโอด:	การเชื่อมต่อซีรี่ส์ 1 คู่
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ยูบี	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	5 น
Mfr:	เทคโนโลยีไมโครชิป	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
กล่อง / กระเป๋า:	3-SMD ไม่มีสารตะกั่ว	แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	75 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว	ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	1N6642	กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	500 nA @ 75 โวลต์

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	300mA
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-65°C ~ 175°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.2 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์
แพ็คเกจ:	ขนาดใหญ่
ซีรีย์:	ทหาร MIL-PRF-19500/578
การกำหนดค่าไดโอด:	การเชื่อมต่อซีรี่ส์ 1 คู่
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ยูบี
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	5 น
Mfr:	เทคโนโลยีไมโครชิป
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
กล่อง / กระเป๋า:	3-SMD ไม่มีสารตะกั่ว
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	75 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	1N6642
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	500 nA @ 75 โวลต์