รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอเดส GEN PURP UB
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
- |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.2 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์ |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
5pF @ 0V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
ยูบี |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
5 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
กล่อง / กระเป๋า: |
3-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
- |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
1N6642 |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
- |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.2 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์ |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
5pF @ 0V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
ยูบี |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
5 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
กล่อง / กระเป๋า: |
3-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
- |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
1N6642 |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
